Благодаря сегодняшним фотографиям корпуса будущего iPhone 6S, стало известно, что данное устройство получит новый чип LTE от Qualcomm. Сообщается, что iPhone 6S получит чип Qualcomm MDM9635M на платформе «Gobi», благодаря которому скорость работы LTE, теоретически, может увеличиться вдвое, по сравнению с iPhone 6 и iPhone 6 Plus. Сам чип не такой уж и новый, так как он был установлен на некоторых смартфонах на Android еще в прошлом году.
Однако чип MDM9635M выполнен по 20нм процессу, что делает его меньше и более энергоэффективным, чем старый чип MDM9625M, который на данный момент используется в iPhone 6 и iPhone 6 Plus. Теоретически, новый чип может показывать скорость 300 Мбит/с, что в два раза больше нынешних 150 Мбит/с.
Кроме того 9to5Mac сообщает, что материнская плата iPhone 6S будет будет немного меньше, а освободившееся пространство компания решила потратить на увеличение аккумулятора.
Не очень понимаю вообще ЛТЕ. Пользуюсь только 3Г — стабильно около 20Мб/с на входе и на выходе..все что можно работать — работает.
А заряд батареи тоже в два раза быстрей будет иссякать?)))
ограничения один хер на 50.
Сегодня что не новость так радует