Как бы не воевала американская корпорация Apple и южнокорейская Samsung Electronics в судах, судя по всему, сотрудничать и конкурировать им предначертано не столько судьбой, сколько ситуацией в высокотехнологичной индустрии, где процветают только сильнейшие, причём сообща. Вот уже долгие годы компания Apple пытается сократить свои закупки у Samsung Electronics, которая является её основным конкурентом на рынке смартфонов.
Однако когда требуется произвести систему на чипе (system-on-chip, SoC) со сверхнизким энергопотреблением, используя передовой техпроцесс, в большом объёме и с высоким выходом годных кристаллов, то Samsung является одной из немногих компаний, способных выполнить задачу.
Судя по всему, производить один из компонентов высокоинтегрированной системы в корпусе (system-in-package, SiP) S1 для Apple Watch также будет Samsung. Деловое издание Business Korea некоторое время назад сообщило, ссылаясь на источники в индустрии, что Apple и Samsung подписали контракт на производство крошечного микропроцессора для умных часов Apple. Микросхема внутри Apple S1 должна иметь размер в несколько квадратных миллиметров и обладать чрезвычайно низким энергопотреблением, но при этом обеспечивать достаточно высокую вычислительную производительность. Чтобы создать такой чип, требуются не только первоклассные разработчики, но и тонкий техпроцесс, заточенный под устройства со сверхмалым энергопотреблением.
Принимая во внимание, что компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. разрабатывала 20-нм технологический процесс в первую очередь для систем на чипе для смартфонов и планшетов, есть вероятность, что такая технология не может быть использована для производства процессора для Apple S1 SiP. Как следствие, в Apple могли принять решение не использовать услуги TSMC, а обратиться к Samsung.
На сегодняшний день Samsung может предложить как минимум два техпроцесса для производства микропроцессоров для носимых устройств: это 14-нм технология с использованием транзисторов с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET), а также низковольтный 28-нм техпроцесс с применением подложек SOI с полностью обеднённым изолятором (fully-depleted silicon-on-insulator, FD-SOI). Согласно данным некоторых экспертов, обе технологии обеспечивают наименьшие токи утечек и энергопотребление в состоянии покоя, наиболее важные качества для микросхем в носимых устройствах.
В начале октября на конференции ARM Tech Con компания Samsung не только показала работающий чип, созданный по технологии 14-нм FinFET, но и заявила, что техпроцесс полностью пригоден для массового производства и одобрен разработчиками микросхем. Согласно данным Samsung, эта технология производства обеспечивает 35-процентное снижение энергопотребления по сравнению с 20-нм процессом.
Не всё так гладко с технологией 28-нм FD-SOI. Во-первых, Samsung лицензировала её лишь в мае этого года, и не факт, что она готова к использование для массовых продуктов. Во-вторых, её преимущества над 20-нм технологией TSMC не очевидны. Впрочем, в случае если использование подложек SOI с полностью обеднённым изолятором может снизить потребление в состоянии покоя, а также токи утечки до минимальных уровней, то 28-нм FD-SOI может быть использован для производства микросхем для Apple Watch.
via 3dnews.ru
