Новые смартфоны iPhone 6s вышли всего несколько дней назад, а мы уже успели узнать про них практически все. Однако сегодня ребята из AnandTech представили немного новой информации — скорость работы флеш-накопителя устройства. Издание отмечает, что в Phone 6s используется гибридное решение SLC/TLC флеш-памяти типа NAND, которое нацелено на максимальное быстродействие. Результаты и вправду получились впечатляющими.
Для тех, кто не знаком с гибридными NAND-решениями типа SLC/TLC: по сути, в ней используется увеличенный объем кэш-памяти, чтобы избежать проблемы с падением производительности, свойственных для TLC-компонентов. При каждой записи данные поступают сначала в SLC-отдел памяти, после чего перенаправляются в TLC. Пока хватает скорости TLC краткосрочная пропускная способность ограничена скоростью кэша SLC. Это характерно для большинства ситуаций при обычном использовании.
Результаты теста представлены на картинках выше. Однако если коротко, что iPhone 6s Plus по скорости чтения работает на 50% быстрее, чем у iPhone 6 Plus — 402Мб/с против 253Мб/с. По скорости записи новинка вдвое опережает своего предшественника – 187Мб/с против 87Мб/с.
