В России разработают гибрид ОЗУ, флешки и винчестера

Ученые МФТИ разработали революционную технологию создания памяти: устройства на ее базе будут обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой оперативной памяти. В основе памяти нового типа — сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния, сообщает Hi-tech.mail.ru. Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад.

Отмечается, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.

Память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Кроме того, она сможет заменить используемую сегодня оперативную память.


Купить iPhone , Macbook Pro , iMac , Чехлы и iPad, в Екатеринбурге
по отличным ценам вы можете в магазине i-ekb:Store.

  • Новости
  • |
  • Время: 20:32 / 08.04.2016
  • |
  • Просмотров: 504

2 комментария

винчестир? чо за херь? типа драбавик что ли рушили сделать умы чинарей??? папил бабла вижу ривалюцыи не вижу че т
пади шмель опять мутит херь сваю ШМЕЛИНУЮ запарил тратит налоги урод :sick: :sick: :sick: :sick:

гафний бы в анус тому кто мутит попил!!!

и ввп за то что врал а у самово ОФШЁРы

как так нах законы было пиарить что типа верните бабки из за границы

сам бы вернул сначала раз такой умный епт :sick: :sick: че блин такое то